1) MOS-FETを用いた超高速スイッチングユニット

市販のパワーMOS-FET（6並列´8直列）で構成された超高速スイッチングユニットです。各素子の動作は光ファイバーを経由して共通の外部信号によって制御されます。  More information

(5 kV, 100 A, 240 ns, 2 MHz)

　

2) SIサイリスタを用いた超小型パルス高電圧電源

SIサイリスタを用いた独自の回路構成により、バッテリ（直流12V）の出力をパルス高電圧に変換するパルス高電圧発生電源です。超小型と超軽量を実現しました。  More Information

(12 kV, 100 ns, 2 kHz)

　

3) SOSを用いたエキシマレーザー用パルスパワー電源

急峻な電圧上昇を得るために半導体開放スイッチ（SOS）を用いたパルスパワー電源で、エキシマレーザーチャンバー内で均一な放電生成に重要な役割を果たします。  More information

(60 kV, 30 kA, 300 ns)